980nm 400mW 14-PIN ليزر ديود

المعلمة

رمز

دقيقة

الأعلى

وحدة

حالة

درجة حرارة حالة التشغيل

ح

-20

+70

ºC

درجة حرارة التخزين

TSTG

-40

+85

ºC

تخزين الرطوبة النسبية

RHSTG

85

%RH

التشغيل الرطوبة النسبية

رهوب

-

85

%RH

الليزر إلى الأمام الحالي

لو

-

1000

أماه

الليزر عكس الجهد

VF

-

2.5

V

المجلس التنفيذي الانتقالي الحالي

ITEC

-

2.5

A

المجلس التنفيذي الجهد

فتيك

-

4.8

V

قوة السحب المحورية الضفيرة

-

-

10

N

3*10 ثانية

قوة السحب الجانبية للضفيرة

-

-

5

N

3*10 ثانية

التفريغ الكهروستاتيكي

البيئة والتنمية المستدامة

1000

-

V

درجة حرارة لحام الرصاص

-

-

280

ºC

<10 seconds

المعلمة

رمز

دقيقة

يكتب

الأعلى

وحدة

حالة

العتبة الحالية

إيث

-

85

100

أماه

طاقة الخرج البصري 1

ص

600

-

-

ميغاواط

طاقة الخرج البصري 2

ص

400

-

-

ميغاواط

طاقة الخرج البصري 3

ص

200

-

-

ميغاواط

الليزر إلى الأمام الحالي

لو

-

-

1000

أماه

الليزر إلى الأمام الجهد

VF

-

2.3

-

V

قوة خالية من العقد

بيكنك

-

1.15 * بو

-

ميغاواط

مراقبة التيار المظلم

بطاقة تعريف

-

-

50

غير متوفر

التحيز -5V

مراقبة استجابة الكاشف

جمهورية مقدونيا

1

5

10

وا/ميغاواط

مركز الطول الموجي

λc

973

974

975

نانومتر

@-20~70 ºC

العرض الطيفي عند -20 ديسيبل

∆λ

-

0.4

0.6

نانومتر

@-20~70 ºC

نسبة قمع الوضع الجانبي-

سمسر

20

40

-

ديسيبل

TEC الحالي عند -20 درجة مئوية

ITEC

-

-

0.5

A

TEC الحالي عند 70 درجة مئوية

ITEC

-

-

1.0

A

جهد TEC عند 70 درجة مئوية

فتيك

-

-

3

V

إجمالي طاقة الوحدة
الاستهلاك عند 70 درجة مئوية

بتوتالا

-

5

-

W

مقاومة الثرمستور

R

9.9

10

10.1

كوم

@40 ºC

الثرمستور B-القيمة

-

3950

-

K

B25/50=3950K±1%

استقرار الطاقة

∆ص

-

-

3

%

@-20~70 ºC

الطول الموجي لقطع الألياف

-

-

960

-

نانومتر

قطر مجال وضع الألياف

-

5.4

5.9

6.4

أم

lect=980نانومتر

قطر الألياف

-

-

250

-

أم

كورنينج هاي 1060

طول الألياف

-

1.4

1.5

1.6

أم

موصل الألياف

-

FC/APC

-